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中国功能晶体研究进展 Review
王继扬,于浩海,吴以成,Robert Boughton
《工程(英文)》 2015年 第1卷 第2期 页码 192-210 doi: 10.15302/J-ENG-2015053
功能晶体是现代科学技术发展的基础材料之一,在当前信息时代发挥着重要和关键的作用。本文总结了若干功能晶体的研究进展,综述了中国功能晶体的现状及重大成就和重要应用,讨论了功能晶体面临的挑战和机遇,提出了可能的发展方向。
基于半导体纳米晶体的神经突触器件 Review
步明轩1,2,王越1,2,尹蕾1,2,童周禹1,2,张懿强3,杨德仁1,2,4,5,皮孝东1,2,4,5
《信息与电子工程前沿(英文)》 2022年 第23卷 第11期 页码 1579-1601 doi: 10.1631/FITEE.2100551
关键词: 半导体纳米晶体;突触器件;神经形态计算
8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究 Article
刘国友,丁荣军,罗海辉
《工程(英文)》 2015年 第1卷 第3期 页码 361-366 doi: 10.15302/J-ENG-2015043
基于8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 生产线的建设,重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体 (DMOS+) IGBT技术和第五代沟槽栅IGBT技术等关键技术问题
关键词: 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 高功率密度 沟槽栅 8英寸 轨道交通
丁金磊,程晓舫,翟载腾,查,茆美琴
《中国工程科学》 2007年 第9卷 第4期 页码 94-98
从晶体硅太阳电池功率全微分方程出发,结合开路电压和功率随温度、日照变化的实验事实,研究 影响晶体硅太阳电池工作状态的各参量的独立性。
丁金磊,程晓舫,余世杰,何慧若
《中国工程科学》 2005年 第7卷 第6期 页码 45-49
从实际的晶体硅太阳电池电路基本方程出发,推导出晶体硅太阳电池最大功率下负载的函数表达。与传统的电工电路不同,太阳电池电路最大功率点下的负载大于太阳电池内阻,并随着温度的升高,其比值逐渐降低。
“先进半导体材料及辅助材料”编写组
《中国工程科学》 2020年 第22卷 第5期 页码 10-19 doi: 10.15302/J-SSCAE-2020.05.002
目前,以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料快速发展,我国亟需抓住战略机遇期,实现先进半导体材料、辅助材料的自主可控,保障相关工业体系安全。本文在分析全球半导体材料及辅助材料研发与产业发展现状的基础上,寻找差距,结合我国现实情况,提出了构建半导体材料及辅助材料体系化发展、上下游协同发展和可持续发展的发展思路,制定了面向2025年和2035年的发展目标为推动我国先进半导体材料及辅助材料产业发展,提出了建设集成电路关键材料及装备自主可控工程,SiC和GaN半导体材料、辅助材料、工艺及装备验证平台,先进半导体材料在第五代移动通信技术、能源互联网及新能源汽车领域的应用示范工程最后,为推动半导体产业的创新发展,从坚持政策推动,企业和机构主导,整合国内优势资源;把握“超越摩尔”的历史机遇,布局下一代集成电路技术;构建创新链,进行创新生态建设等方面提出了对策建议
高分辨深紫外激光光电子能谱仪进展 Review Articles
Zu-yan XU, Shen-jin ZHANG, Xing-jiang ZHOU, Feng-feng ZHANG, Feng YANG, Zhi-min WANG, Nan ZONG, Guo-dong LIU, Lin ZHAO, Li YU, Chuang-tian CHEN, Xiao-yang WANG, Qin-jun PENG
《信息与电子工程前沿(英文)》 2019年 第20卷 第7期 页码 885-913 doi: 10.1631/FITEE.1800744
基于特定最低有效位动态阈值碳纳米管场效应晶体管的高效优化近似栅极扩散输入全加器 Research Article
Ayoub SADEGHI1,Razieh GHASEMI2,Hossein GHASEMIAN3,Nabiollah SHIRI1
《信息与电子工程前沿(英文)》 2023年 第24卷 第4期 页码 599-616 doi: 10.1631/FITEE.2200077
关键词: 碳纳米管场效应晶体管(CNTFET);优化算法;基于非支配排序的遗传算法II(NSGA-II);栅极扩散输入(GDI);近似计算
DyFe11Ti磁结构及其自旋重取向的中子衍射研究 Article
Olivier Isnard, Eder J. Kinast
《工程(英文)》 2020年 第6卷 第2期 页码 153-157 doi: 10.1016/j.eng.2019.11.009
关键词: 中子衍射,磁相图,晶体结构
分子电子学的发展 Review
Paven Thomas Mathew, 房丰洲
《工程(英文)》 2018年 第4卷 第6期 页码 760-771 doi: 10.1016/j.eng.2018.11.001
在现场可编程门阵列中用于降低泄漏功率的动态电源门控 Research Article
Hadi JAHANIRAD
《信息与电子工程前沿(英文)》 2023年 第24卷 第4期 页码 582-598 doi: 10.1631/FITEE.2200084
鲍嘉明,孙伟锋,赵 野,陆生礼
《中国工程科学》 2008年 第10卷 第2期 页码 72-78
提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中,基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压;通过深入研究VDMOS 内部的物理特性,给出了一个关于漂移区电场的微分方程,并在整个漂移区都用解析方法求解了该微分方程,由此求得了漂移区的电压降。计算结果表明, 该模型在漏端电流接近饱和处的稳定性有较大提高,具有较高的计算精度,特别是在栅电压与漏电压都比较大的情况下,其计算精度有较大程度的提高。
关键词: 垂直双扩散MOS场效应晶体管 静态物理模型 解析方法
韦欣,李明,李健,汪超,李川川
《中国工程科学》 2020年 第22卷 第3期 页码 21-28 doi: 10.15302/J-SSCAE-2020.03.004
半导体激光器产业体量大、辐射和带动能力强,作为激光器工业的基础,被广泛应用在光通信、光信息处理、新型加工、激光显示、生物和医学传感等工业、为了适应逐渐扩大的应用范围,满足不同应用场景所提出的新要求,半导体激光器领域近年来通过学科交叉渗透不断地引入了各种新机制、新概念以及新结构,大大优化了其波长覆盖范围、光束质量、器件体积和功耗、调制速度以及输出功率本文通过对比几种新型激光器的物理内涵、结构设计及制备手段,介绍了几种应用前景广泛且发展势头强劲的半导体激光器。结合我国相关产业的发展现状指出,半导体激光器产业的发展仍然应与应用紧密结合,通过市场和强大的系统开发能力闭环优化器件性能,提升核心技术,通过交叉学科融通不断引入新概念、新结构和新工艺。同时,结合国内政策导向优势,在垂直外腔面发射激光器、微纳结构激光器以及拓扑绝缘体激光器等几个发展势头强劲的新型激光技术中加大投入,进行批量生产和可控制备研发,力争在国际相关领域的竞争中抢占战术制高点。
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高分辨深紫外激光光电子能谱仪进展
Zu-yan XU, Shen-jin ZHANG, Xing-jiang ZHOU, Feng-feng ZHANG, Feng YANG, Zhi-min WANG, Nan ZONG, Guo-dong LIU, Lin ZHAO, Li YU, Chuang-tian CHEN, Xiao-yang WANG, Qin-jun PENG
期刊论文
基于特定最低有效位动态阈值碳纳米管场效应晶体管的高效优化近似栅极扩散输入全加器
Ayoub SADEGHI1,Razieh GHASEMI2,Hossein GHASEMIAN3,Nabiollah SHIRI1
期刊论文